|
17.08.2008
Toshiba анонсировала выпуск флэш-памяти типа NAND с самой высокой плотностью — 32 ГБ
Корпорация Toshiba анонсировала выпуск
32-ГБ модулей флэш-памяти типа NAND, которые, как
сообщается, предлагают самую высокую плотность хранения данных среди аналогов.
Новые серии продуктов соответствуют требованиям стандартов e-MMC и eSD
(соответственно, ассоциаций MultiMediaCard и SD).
Встраиваемая память высокой плотности востребована в портативной
пользовательской электронике: в цифровых фотоаппаратах, сотовых телефонах, видео
и аудиоплеерах — для них и предназначаются серии новых емких модулей памяти
Toshiba.
Разработанные компанией устройства имеют емкость от 1 до 32 ГБ (8х32-Гбит
чипов) и производятся по
освоенному в Toshiba современному 43-нм техпроцессу, а также с применением
интегрированного контроллера памяти. Эта память удовлетворяет требованиям
стандартов JEDEC/MMCA Ver 4.3 и SDA Ver 2.0. Тип упаковки (169Ball FBGA и 153Ball FBGA),
как и
размеры — варьируются в зависимости от серии и модели модуля памяти. Кроме
высокой плотности обе серии памяти могут похвастать широким диапазоном
температур: от -25С до +85С.
Полный список памяти серии e-MMC выглядит так:
- THGBM1G8D8EBAI2 — 32 ГБ
- THGBM1G7D8EBAI0 — 16 ГБ
- THGBM1G7D4EBAI2 — 16 ГБ
- THGBM1G6D4EBAI4 — 8 ГБ
- THGBM1G5D2EBAI7 — 4 ГБ
- THGBM1G4D1EBAI7 — 2 ГБ
- THGBM1G3D1EBAI8 — 1 ГБ
Серия eSD представлена такими моделями:
- THGVS4G8D8EBAI2 — 32 ГБ
- THGVS4G7D8EBAI0 — 16 ГБ
- THGVS4G7D4EBAI2 — 16 ГБ
- THGVS4G6D4EBAI4 — 8 ГБ
- THGVS4G5D2EBAI4 — 4 ГБ
- THGVS4G4D1EBAI4 — 2 ГБ
- THGVS4G3D1EBAI8 — 1 ГБ
Самые первые ознакомительные образцы, причем с максимальной емкостью, появятся и будут отгружены уже в сентябре, за ними последуют менее емкие модули (до конца года). Массовое производство Toshiba начнет в четвертом
квартале 2008 года — первом квартале 2009 года.
|
